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| Artikel-Nr.: 3794E-2156676 Herst.-Nr.: IKZ50N65EH5XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 273 W Gehäusegröße = PG-TO247-4 Pinanzahl = 4 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 85 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30 V | Verlustleistung max.: | 273 W | Gehäusegröße: | PG-TO247-4 | Pinanzahl: | 4 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156676, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKZ50N65EH5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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