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Infineon IGBT / 85 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 273 W, 4-Pin PG-TO247-4


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2156676
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKZ50N65EH5XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V
Verlustleistung max. = 273 W
Gehäusegröße = PG-TO247-4
Pinanzahl = 4
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
85 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20 V, ±30 V
Verlustleistung max.:
273 W
Gehäusegröße:
PG-TO247-4
Pinanzahl:
4
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156676, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKZ50N65EH5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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