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| Artikel-Nr.:
3794E-2156688 Herst.-Nr.:
BS250P EAN/GTIN:
5059043710716 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 230 mA
Drain-Source-Spannung max. = 45 V
Gehäusegröße = E-Line
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 14 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Verlustleistung max. = 700 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 230 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 45 V | Gehäusegröße: | E-Line | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 14 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 700 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, 2156688, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, BS250P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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