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| Artikel-Nr.:
3794E-2168313 Herst.-Nr.:
BAR6402ELE6327XTMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Durchlassstrom max. = 100mA
Sperrspannung max. = 150V
Ladungsträgerlebensdauer = 1.55µs
Gehäusegröße = TSLP
Pinanzahl = 2
Die Infineon-HF-PIN-Diode bietet Hochspannungsverarbeitungsfunktionen und verfügt über geringe Verluste und geringe Verzerrungen. Der niedrige Vorwärtswiderstand, die niedrige Kapazität und die niedrige Induktivität vereinfachen das Design und unterstützen Entwickler bei der Erstellung kleinerer und leichterer Endlösungen.Geringe Signalverzerrung Bleifrei RoHS-konform Halogenfrei Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Durchlassstrom max.: | 100mA | Sperrspannung max.: | 150V | Ladungsträgerlebensdauer: | 1.55µs | Gehäusegröße: | TSLP | Pinanzahl: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2168313, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, pin-Dioden, Infineon, BAR6402ELE6327XTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, PIN Diodes |
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