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| Artikel-Nr.:
3794E-2168388 Herst.-Nr.:
IDH12G65C6XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = PG-TO220
Dauer-Durchlassstrom max. = 12A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Die Infineon CoolSiC Generation 5 bietet eine neue Spitzentechnologie für die Schottky-Diode mit einem Nennstrom von 12 A. Diese neueste Generation ist für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silberbox- und Beleuchtungsanwendungen geeignet.Klassenbeste Leistungszahl Keine Rückgewinnungsladung Temperaturunabhängiges Schaltverhalten Hohe dv/dt-Robustheit Optimiertes thermisches Verhalten Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | PG-TO220 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 12A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky |
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| Weitere Suchbegriffe: 2168388, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDH12G65C6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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