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| Artikel-Nr.: 3794E-2172510 Herst.-Nr.: IPB80N04S2H4ATMA2 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = CoolMOS™ Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 3,7 mO Gate-Schwellenspannung max. = 4V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | CoolMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,7 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V |
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| Weitere Suchbegriffe: 2172510, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB80N04S2H4ATMA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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