Infineon IPD80R360P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 360 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Die Infineon 800 V CoolMOS TM P7 Superjunction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Sperrwandler-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Flyback-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.Best-in-Class FOM RDS(on) * Eoss Reduzierte Qg, Ziss und Coss Erstklassiger DPAK RDS(on) Klassenbeste V(GS)th von 3 V und kleinste V(GS)th-Variation von ±0,5 V Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz Vollständig optimiertes Portfolio