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| Artikel-Nr.:
3794E-2172568 Herst.-Nr.:
IPP80N06S207AKSA4 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6,6 mO
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon 55 V, N-Ch, max. 6,6 MΩ, Kfz-MOSFET, TO-220, OptiMOS.N-Kanal - Anreicherungstyp Kfz AEC Q101 zugelassen MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur grünen Paket (bleifrei) Extrem niedriger RDS(on) 100 % Lawinenprüfung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6,6 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2172568, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP80N06S207AKSA4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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