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| Artikel-Nr.:
3794E-2172581 Herst.-Nr.:
IPS70R360P7SAKMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = IPAK SL (TO-251 SL)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 360 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS™ P7
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss Ausgezeichnetes thermisches Verhalten Integrierte ESD-Schutzdiode Geringe Schaltverluste (Eoss) Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | IPAK SL (TO-251 SL) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 360 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS™ P7 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2172581, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPS70R360P7SAKMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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