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| Artikel-Nr.:
3794E-2172626 Herst.-Nr.:
IRFR5505TRLPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal und -55 V in einem D-Pak-Gehäuse.RoHS-kompatibel Niedriger RDS (EIN) Branchenführende Qualität Dynamische dv/dt-Bewertung Fast Switching Voll-Avalanche-Bewertung Betriebstemperatur von 175 °C P-Kanal-MOSFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 110 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 2172626, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFR5505TRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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