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| Artikel-Nr.:
3794E-2172644 Herst.-Nr.:
SPD04N80C3ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 Ohm
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS™ C3
Die Infineon 800V CoolMOS TM C3 ist die dritte Serie von CoolMOS TM von Infineon mit Markteintritt im Jahr 2001. C3 ist das ″Arbeitspferd″ des Portfolios. .Niedriger spezifischer Betriebswiderstand (RDS(on) * A) Sehr geringe Energiespeicherung in Ausgangskapazität (Eoss) bei 400 V Niedrige Gate-Ladung (Qg) Bewährte CoolMOS-Qualität Die CoolMOS™-Technologie wird seit 1998 von Infineon hergestellt. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,3 Ohm | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.9V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS™ C3 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 2172644, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, SPD04N80C3ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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