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| Artikel-Nr.:
3794E-2173658 Herst.-Nr.:
70V261L25PFGI EAN/GTIN:
k.A. |
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| Speicher Größe = 256kbit
Organisation = 16 K x 16
Anzahl der Wörter = 16K
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 25ns
Adressbusbreite = 32bit
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TQFP-100
Pinanzahl = 100
Abmessungen = 14 x 14 x 1.4mm
Höhe = 1.4mm
Breite = 14mm
Der statische Hochgeschwindigkeits-RAM der Serie Renesas Electronics 70V261 mit 16 x 16 Dual-Port wurde für den Einsatz als eigenständiger Dual-Port-RAM oder als Kombination aus MASTER/SLAVE Dual-Port-RAM für 32-Bit- oder breitere Speichersystemanwendungen entwickelt. Er hat eine 100-Kanal-Zählung und einen TQFP-Gehäusetyp.Separate Steuerung für oberes und unteres Byte 70V261 erweitert die Datenbusbreite einfach auf 32 Bit oder Mehr On-Chip-Port-Arbitrierung-Logik Vollständige On-Chip-Hardware-Unterstützung der Semaphor-Signalisierung zwischen den Anschlüssen Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 256kbit | Organisation: | 16 K x 16 | Anzahl der Wörter: | 16K | Anzahl der Bits pro Wort: | 16bit | Zugriffszeit max.: | 25ns | Adressbusbreite: | 32bit | Low Power: | Ja | Timing Typ: | Asymmetrisch | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TQFP-100 | Pinanzahl: | 100 | Abmessungen: | 14 x 14 x 1.4mm | Höhe: | 1.4mm | Breite: | 14mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 2173658, Halbleiter, Speicherbausteine, Renesas Electronics, 70V261L25PFGI, Semiconductors, Memory Chips |
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