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| Artikel-Nr.:
3794E-2173687 Herst.-Nr.:
71V416S10PHGI EAN/GTIN:
k.A. |
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| Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 256 K x 16
Anzahl der Wörter = 256K
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP-44
Pinanzahl = 44
Abmessungen = 18.41 x 10.16 x 1mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Arbeitsspannnung min. = 3 V
Der 3,3-V-CMOS-SRAM der Renesas Electronics 71V416-Serie ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71V416 sind LVTTL-kompatibel und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Er hat eine Anschlussanzahl von 44 und einen TSOP-Gehäusetyp. Das SRAM hat eine Temperaturklasse I.JEDEC-Mittenleistung/GND-Pinbelegung für geringere Geräuschentwicklung. Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt LVTTL-kompatibel Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 4MBit | Organisation: | 256 K x 16 | Anzahl der Wörter: | 256K | Anzahl der Bits pro Wort: | 16bit | Zugriffszeit max.: | 10ns | Low Power: | Ja | Timing Typ: | Asymmetrisch | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TSOP-44 | Pinanzahl: | 44 | Abmessungen: | 18.41 x 10.16 x 1mm | Arbeitsspannnung max.: | 3,6 V | Arbeitsspannnung min.: | 3 V |
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| Weitere Suchbegriffe: 2173687, Halbleiter, Speicherbausteine, Renesas Electronics, 71V416S10PHGI, Semiconductors, Memory Chips |
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