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| Artikel-Nr.:
3794E-2177179 Herst.-Nr.:
FF11MR12W1M1B11BOMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = Schraubmontage
Drain-Source-Widerstand max. = 0,016 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 20V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Das Infineon EasyDUAL 1B 1200 V, 11 mΩ Halbbrückenmodul mit CoolSiC MOSFET, NTC und Pressfit Contact Technology.Hohe Stromdichte Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste Geringe induktive Bauweise Höchster Wirkungsgrad für geringeren Kühlaufwand Betrieb mit höherer Frequenz Erhöhte Leistungsdichte Optimierte Entwicklungszykluszeit und -kosten des Kunden Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Serie: | CoolSiC | Montage-Typ: | Schraubmontage | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,016 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 20V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2177179, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF11MR12W1M1B11BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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