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| Artikel-Nr.: 3794E-2183089 Herst.-Nr.: IPW60R280P6FKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13,8 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = CoolMOS™ P6 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,28 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | CoolMOS™ P6 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,28 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2183089, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R280P6FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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