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| Artikel-Nr.: 3794E-2183092 Herst.-Nr.: IPW80R360P7XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,36 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = 800V CoolMOS™ P7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,36 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 800V CoolMOS™ P7 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 2183092, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW80R360P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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