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Infineon HEXFET IRF3710STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 57 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2183096
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF3710STRLPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 57 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,023 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
57 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,023 Ω
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 2183096, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF3710STRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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