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| Artikel-Nr.:
3794E-2183116 Herst.-Nr.:
IRFR825TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1.3 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
Der 1-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie, integriert in das Gehäuse des Typs DPAK (TO-252). Dieser MOSFET wird hauptsächlich in USV, SMPS usw. verwendetGeringere Gate-Ladung führt zu einfacheren Antriebsanforderungen. Höhere Gate-Spannungsschwelle bietet eine verbesserte Störfestigkeit. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1.3 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 2183116, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IRFR825TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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