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| Artikel-Nr.:
3794E-2184335 Herst.-Nr.:
FF400R17KE4HOSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = 62 mm
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Transistor-Konfiguration = Dual
Das Infineon Halbbrücken-IGBT-Modul mit schnellem Trenchstop IGBT4 und Emitter-gesteuerter Diode. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1700 V und einen Kollektorstrom von 400 A. Er wird hauptsächlich in Motorsteuerungen und Antrieben, USV-Systemen und Stromwandlern und Wechselrichtern von Windenergieanlagen eingesetzt.Höchste Leistungsdichte Flexibilität Optimale elektrische Leistung Hohe Kriechstrecke und Sicherheitsabstände Höchste Zuverlässigkeit Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 400 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1700 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 2 | Gehäusegröße: | 62 mm | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 7 | Transistor-Konfiguration: | Dual |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2184335, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FF400R17KE4HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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