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Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 11-Pin ECONODUAL N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2184341
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF600R12ME4B72BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = ECONODUAL
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 11
Transistor-Konfiguration = Dual
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
600 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Gehäusegröße:
ECONODUAL
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
11
Transistor-Konfiguration:
Dual
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2184341, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FF600R12ME4B72BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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