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| Artikel-Nr.:
3794E-2184359 Herst.-Nr.:
FP75R12KT4PBPSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 7
Gehäusegröße = EASY2B
Channel-Typ = N
Das Infineon EasyPIM dreiphasige Eingangs-IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4-Technologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen Durchlassstrom von 75 A. Er wird in Servomotoren und Motorsteuerungen und Antrieben verwendet.Kompaktes Modulkonzept Optimierte Entwicklungszykluszeit und -kosten des Kunden Hohe Zuverlässigkeit und Leistungsdichte Kupfergrundplatte für optimierte Wärmeverteilung Niedrige Schaltverluste Hohe Schaltfrequenz Flexibilität bei der Konfiguration Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 75 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 7 | Gehäusegröße: | EASY2B | Channel-Typ: | N |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2184359, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP75R12KT4PBPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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