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| Artikel-Nr.: 3794E-2184365 Herst.-Nr.: FS820R08A6P2BBPSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 820 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Channel-Typ = N Pinanzahl = 20 Transistor-Konfiguration = Six Pack Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 820 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 750 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 20 mW | Gehäusegröße: | Modul | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 20 | Transistor-Konfiguration: | Six Pack |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2184365, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FS820R08A6P2BBPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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