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Infineon IGBT-Modul / 450 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW ECONOD N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2184385
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IFF450B12ME4PB11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = ECONOD
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Dual
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
450 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Anzahl an Transistoren:
2
Gehäusegröße:
ECONOD
Channel-Typ:
N
Transistor-Konfiguration:
Dual
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2184385, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, IFF450B12ME4PB11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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