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| Artikel-Nr.:
3794E-2184388 Herst.-Nr.:
IFF600B12ME4PB11BPSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Dual
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Dual
Das Infineon EconoDual Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4-Technologie mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V. Er wird in der Motorsteuerung und in Antrieben, Stromwandlern und Wechselrichtern von Windenergieanlagen und USV-Systemen eingesetzt.Integrierte Shunt-Widerstände für die Gleichstrommessung Presssitz-Steuerstifte und Schraubanschlussklemmen Tim - Voraufgetragenen thermischen Schnittstellenwerkstoff für eine längste Lebensdauer Kompakte und robuste Bauweise mit geformten Anschlussklemmen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 600 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 2 | Konfiguration: | Dual | Channel-Typ: | N | Transistor-Konfiguration: | Dual |
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| Weitere Suchbegriffe: 2184388, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, IFF600B12ME4PB11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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