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Infineon IGBT / 80 A 20V max. , 650 V 270 W, 3-Pin TO-263 N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2184389
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IGB50N65H5ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 270 W
Gehäusegröße = TO-263
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
270 W
Gehäusegröße:
TO-263
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2184389, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGB50N65H5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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