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| Artikel-Nr.: 3794E-2184392 Herst.-Nr.: IGW75N65H5XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 395 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 75 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 395 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2184392, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGW75N65H5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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