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| Artikel-Nr.: 3794E-2186445 Herst.-Nr.: PLZ11B-HG3_A/H EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Diodenkonfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Verlustleistung max. = 500 mW Gehäusegröße = MicroSMF (DO-219AC) Zenertyp = Universal Pinanzahl = 2
Die Vishay Zenerdioden der Serie PLZ ermöglichen eine Verlustleistung von 500 mW. Sie haben einen geringen Leckstrom und bieten eine ausgezeichnete Stabilität. Die Serie PLZ ist für Wellen- und Reflow-Löten geeignet und hat ein Hochtemperaturlöten von 260 °C/10 an den Anschlussklemmen.Planare Silizium-Zenerdioden, extrem klein Flaches MicroSMF-Gehäuse (DO, 219AC) Niedriger Leckstrom Ausgezeichnete Stabilität Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Verlustleistung max.: | 500 mW | Gehäusegröße: | MicroSMF (DO-219AC) | Zenertyp: | Universal | Pinanzahl: | 2 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2186445, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Zener Dioden, Vishay, PLZ11BHG3_AH, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Zener Diodes |
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