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| Artikel-Nr.:
3794E-2194231 Herst.-Nr.:
STPSC10H12G2-TR EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = D2PAK HV
Dauer-Durchlassstrom max. = 10A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die STMicroelectronics 10 A, 1200 V Sic Diode ist eine extrem leistungsstarke Schottky-Diode. Die Diode ist aus einem Siliziumkarbid-Substrat gefertigt. Das Material mit breitem Bandabstand ermöglicht die Konstruktion einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 1200 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion wird beim Ausschalten keine Wiederherstellung angezeigt und Klingelmuster sind unerheblich. Das minimale kapazitive Ausschaltverhalten ist von der Temperatur unabhängig. Diese Diode ist in D2PAK HV untergebracht und eignet sich perfekt für den Einsatz in PFC-Anwendungen, in OBC, DC/DC für EV, um die Konformität mit IEC-60664-1 zu erleichtern. Der STPSC10H12G2-TR steigert die Leistung unter harten Schaltbedingungen. Seine hohe Durchlassspannungsfestigkeit sorgt für gute Robustheit während transienter Phasen.Keine oder geringe Sperrverzögerung Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur Robuste Hochspannungsumgebung Betriebstemperatur Tj von –40 °C bis 175 °C Niedrige VF D2PAK HV Kriechstrecke (Anode zu Kathode) = 5,38 mm min. ECOPACK2-konform Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | D2PAK HV | Dauer-Durchlassstrom max.: | 10A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 1200V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Schottky Diode, st microelectronics schottky diode, smd diode, 2194231, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, STMicroelectronics, STPSC10H12G2TR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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