| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-2195985 Herst.-Nr.: IPA80R360P7XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-220 FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,36 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = CoolMOS P7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,36 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS P7 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 2195985, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA80R360P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |