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Infineon CoolMOS™ P7 IPW60R045P7XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 206 A, 3-Pin TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2196023
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPW60R045P7XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 206 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ P7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,045 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
206 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Serie:
CoolMOS™ P7
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,045 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: 2196023, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R045P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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