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Infineon CoolMOS IPS60R1K0CEAKMA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 6,8 A, 3-Pin IPAK (TO-251)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2207439
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPS60R1K0CEAKMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Dual Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = CoolMOS
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
6,8 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
IPAK (TO-251)
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
1 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Serie:
CoolMOS
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, diode infineon, dual transistor, 2207439, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPS60R1K0CEAKMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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