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| Artikel-Nr.: 3794E-2207443 Herst.-Nr.: IPSA70R1K2P7SAKMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A Drain-Source-Spannung max. = 700 V Serie = CoolMOS™ P7 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon hat die Super Junction MOSFET-Serie 700V Cool MOS P7 entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Fly-Back-Topologien gerecht zu werden. Es richtet sich an den energiesparenden SMPS-Markt, wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter, indem es grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien bietet. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Super Junction MOSFET-Erfahrung ermöglicht 700V Cool MOS P7 eine optimale Passform für Zielanwendungen in Bezug auf:Extrem niedriger FOM R DS(on) x E oss Untere Q g, E ein und E aus Hochleistungsfähige Technologie Geringe Schaltverluste (E oss) Hoher Wirkungsgrad Ausgezeichnetes thermisches Verhalten Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten Integrierte Zenerdiode Optimierte V (GS) der von 3 V mit sehr geringer Toleranz von ±0,5 V Fein abgestuftes Portfolio Kostengünstige Technologie Bis zu 2,4 % Effizienzverstärkung und 12 K niedrigere Gerätetemperatur Im Vergleich zur C6-Technologie Weitere Effizienzverstärkung bei höherer Schaltgeschwindigkeit Unterstützt weniger magnetische Größe mit geringeren BOM-Kosten Hohe ESD-Robustheit bis zur Stufe HBM Klasse 2 Einfach zu fahren und zu entwickeln Enabler für kleinere Formfaktoren und Designs mit hoher Leistungsdichte Ausgezeichnete Wahl bei der Auswahl des am besten passenden Produkts Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Serie: | CoolMOS™ P7 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,2 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diode, 2207443, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPSA70R1K2P7SAKMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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