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| Artikel-Nr.:
3794E-2207445 Herst.-Nr.:
IPSA70R2K0P7SAKMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS P7
Der Infineon Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen im Verbrauchermarkt wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen, schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.Extrem niedrige Verluste durch geringe FOMRDS(on) * Qgand RDS(on) * Eoss Ausgezeichnetes thermisches Verhalten Integrierte ESD-Schutzdiode Geringe Schaltverluste (Eoss) Produktvalidationa cc.JEDEC-Standard Kostengünstige Technologie Niedrigere Temperatur Hohe ES-Robustheit Ermöglicht höhere Schaltfrequenzen durch höhere Effizienz im Gainsat Enableshighpowerdensdesignsandsmallformfaktoren Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS P7 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diode infineon, diode, 2207445, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPSA70R2K0P7SAKMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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