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| Artikel-Nr.:
3794E-2207462 Herst.-Nr.:
IPW65R110CFDAFKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 99,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,11 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = CoolMOS
Der 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten Cool MOS-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V Cool MOS CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt Niedriger Gate-Ladewert Q g. Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten Erhöhte Sicherheitsmarge durch höhere Durchschlagsspannung Verringertes EMI-Erscheinungsbild und einfache Bauweise Bessere Effizienz bei geringer Last Geringere Schaltverluste Höhere Schaltfrequenz und/oder höherer Arbeitszyklus möglich Hohe Qualität und Zuverlässigkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 99,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,11 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | CoolMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, diode infineon, dual transistor, transistor to-247, 2207462, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW65R110CFDAFKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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