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| Artikel-Nr.:
3794E-2216739 Herst.-Nr.:
NTMT190N65S3HF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = PQFN4 8 x 8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,19 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = NTMT190N
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.Extrem niedrige Gate-Ladung Niedrige effektive Ausgangskapazität: 316 pF 100%ig auf Stoßentladung geprüft Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | PQFN4 8 x 8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,19 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | NTMT190N |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 2216739, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMT190N65S3HF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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