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| Artikel-Nr.:
3794E-2222888 Herst.-Nr.:
DMTH48M3SFVW-7 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 52,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerDI3333-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,008 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Kunststoff
Serie = DMTH
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.Ausgelegt für +175 °C, ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen Ausgezeichnetes Produkt (Fom) QGD x rds(on) Niedrige rds(on) sorgt für minimierte Verluste im eingeschalteten Zustand Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 52,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerDI3333-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,008 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Kunststoff | Serie: | DMTH |
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| Weitere Suchbegriffe: 2222888, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMTH48M3SFVW7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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