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| Artikel-Nr.:
3794E-2224642 Herst.-Nr.:
IPA60R180C7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,18 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS
Das Infineon Design von Cool MOS TM C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.Geeignet für Rückleitung Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung Überlegene Kommutierungsbeständigkeit Zugelassen für Standardanwendungen gemäß JEDEC-Standards Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,18 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 2224642, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R180C7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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