| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-2224695 Herst.-Nr.: IPP410N30NAKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 44 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Serie = CoolMOS™ Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,041 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Transistor-Werkstoff = Silicon
Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 44 A | Drain-Source-Spannung max.: | 300 V | Serie: | CoolMOS™ | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,041 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Silicon |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2224695, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP410N30NAKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |