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| Artikel-Nr.: 3794E-2224729 Herst.-Nr.: IPZ65R065C7XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 700 V Gehäusegröße = TO-247-4 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,065 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Transistor-Werkstoff = Silicon Serie = CoolMOS
Das Infineon Design der Cool MOS TM C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit Bessere Effizienz durch Best-in-Class-FOM RDS(on) * Eoss und RDS(on) * Qg Erstklassiger RDS(on) /package Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 33 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,065 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Silicon | Serie: | CoolMOS |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2224729, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPZ65R065C7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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