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Infineon HEXFET IRF6620TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 150 A DirectFET ISOMETRIC


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2224737
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF6620TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 150 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = DirectFET ISOMETRIC
Montage-Typ = SMD
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0036 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.45V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
150 A
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Gehäusegröße:
DirectFET ISOMETRIC
Montage-Typ:
SMD
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0036 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.45V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2224737, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF6620TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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