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| Artikel-Nr.: 3794E-2224796 Herst.-Nr.: FF6MR12KM1BOSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 250 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = AG-62MM Montage-Typ = Schraubmontage Drain-Source-Widerstand max. = 5,81 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.45V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = FF6MR
Das Infineon Halbbrückenmodul mit 62 mm, 1200 V, 6 mΩ und Cool Sic TM MOSFET.Hohe Stromdichte Niedrige Schaltverluste Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit Höchste Robustheit gegen Feuchtigkeit Robuste integrierte Gehäusediode und damit optimale thermische Bedingungen Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 250 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | AG-62MM | Montage-Typ: | Schraubmontage | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,81 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.45V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | FF6MR |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2224796, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF6MR12KM1BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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