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| Artikel-Nr.: 3794E-2224837 Herst.-Nr.: IDWD10G120C5XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = TO-247 Dauer-Durchlassstrom max. = 10A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode Diode Typ = SiC-Schottky Pinanzahl = 2 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Diodentechnologie = SiC-Schottky
Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Dioden der Generation 5 1200 V, 10 A sind jetzt in einem echten 2-poligen TO-247-Gehäuse für den einfachen Austausch bipolarer Si-Dioden erhältlich, die heute häufig verwendet werden. Die erweiterten Kriech- und Sicherheitsabstände von 8,7 mm im neuen Gehäuse bieten zusätzliche Sicherheit in Umgebungen mit hoher Verschmutzung. In Kombination mit einem Si-IGBT oder Super-junction-MOSFET, z. B. in einer Gleichrichterstufe in Wien oder einer PFC-Boost-Stufe, die in 3-phasigen Konvertierungssystemen verwendet wird, erhöht eine CoolSiC-Diode den Wirkungsgrad um bis zu 1 % im Vergleich zur nächstbesten Si-Diodenalternative.Kein Rückgewinnungsstrom, keine Rückstellspannung Temperaturunabhängiges Schaltverhalten Niedrige Durchlassspannung selbst bei hoher Betriebstemperatur Enge Durchlassspannungsverteilung Toleriert hohe Stoßstromwerte Echtes zweipoliges Gehäuse mit 8,7 mm Kriechstrecke und Sicherheitsabstand Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TO-247 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 10A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 1200V | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: diode infineon, smd diode, 2224837, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDWD10G120C5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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