|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2224844 Herst.-Nr.:
IDWD30G120C5XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TO-247
Dauer-Durchlassstrom max. = 30A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Dioden der Generation 5 1200 V, 30 A sind auch in einem echten 2-poligen TO-247-Gehäuse für einfachen Austausch von bipolaren Si-Dioden erhältlich. Die erweiterten Kriech- und Sicherheitsabstände von 8,7 mm im neuen Gehäuse bieten zusätzliche Sicherheit in Umgebungen mit hoher Verschmutzung. In Kombination mit einem Si-IGBT oder Super-junction-MOSFET, z. B. in einer Gleichrichterstufe in Wien oder einer PFC-Boost-Stufe, die in 3-phasigen Konvertierungssystemen verwendet wird, erhöht eine CoolSiC-Diode den Wirkungsgrad um bis zu 1 % im Vergleich zur nächstbesten Si-Diodenalternative.Kein Rückgewinnungsstrom, keine Rückstellspannung Temperaturunabhängiges Schaltverhalten Niedrige Durchlassspannung selbst bei hoher Betriebstemperatur Enge Durchlassspannungsverteilung Toleriert hohe Stoßstromwerte Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TO-247 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 30A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 1200V | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd diode, 2224844, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDWD30G120C5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
| | |
| |