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Infineon IMW1 IMW120R220M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 13 A, 3-Pin TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2224858
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IMW120R220M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = IMW1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
13 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
22 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
IMW1
Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 2224858, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMW120R220M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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