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| Artikel-Nr.:
3794E-2224862 Herst.-Nr.:
IMZ120R030M1HXKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 56 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 30 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = IMZ1
Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 30 mΩ SiC MOSFET im TO247-4-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen.Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V. 0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 56 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 30 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | IMZ1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, 2224862, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMZ120R030M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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