| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-2224864 Herst.-Nr.: IMZ120R045M1XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247-4 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = IMZ1
Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 45 mΩ SiC MOSFET im TO247-4-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen.Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V. 0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 52 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 45 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | IMZ1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2224864, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMZ120R045M1XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |