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Infineon CoolMOS™ C7 IPD60R180C7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2224902
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD60R180C7ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = CoolMOS™ C7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
13 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Serie:
CoolMOS™ C7
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
180 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2224902, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD60R180C7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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