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| Artikel-Nr.:
3794E-2224938 Herst.-Nr.:
IPT60R028G7XTMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = HSOF-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 28 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = IPT60R
Die Infineon CoolMOS TM C7 Gold Superjunction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-CoolMOS TM C7-Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 75 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | HSOF-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 28 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | IPT60R |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224938, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IPT60R028G7XTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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