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| Artikel-Nr.:
3794E-2236212 Herst.-Nr.:
R6050JNZC17 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-3PF
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,083 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat das TO-220FM-Gehäuse. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Parallele Nutzung ist einfach Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-3PF | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,083 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 7V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 2236212, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, R6050JNZC17, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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