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| Artikel-Nr.:
3794E-2236280 Herst.-Nr.:
RD3L01BATTL1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,84 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,84 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 2236280, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RD3L01BATTL1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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