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IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2236320
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGS30TSX2HRC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247N
Pinanzahl = 3

Der Rohm Feldstopp-Trench-IGBT wird hauptsächlich als Heizung für die Automobilindustrie verwendet. Die Verlustleistung beträgt 267 Watts.Niedriger Kollektor - Emitter-Sättigungsspannung Kurzschlussfestigkeit: 10 μs Zugelassen gemäß AEC-Q101 RoHS-konform
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
30 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±30V
Anzahl an Transistoren:
1
Gehäusegröße:
TO-247N
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: 2236320, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RGS30TSX2HRC11, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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